私密直播全婐app免费大渔直播,国产av成人无码免费视频,男女同房做爰全过程高潮,国产精品自产拍在线观看

  高性能半導(dǎo)體聚合物因?yàn)榫邆浜芎玫纳虡I(yè)應(yīng)用前景而受到越來越廣泛的研究。目前，基于半導(dǎo)體聚合物的薄膜晶體管已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了超過10cm² V^-1s^-1的載流子遷移率，但這類半導(dǎo)體聚合物需要使用有毒的氯化溶劑加工。雖然使用無規(guī)共聚和引入不對(duì)稱結(jié)構(gòu)等主鏈工程可以提高半導(dǎo)體聚合物溶解性，但這會(huì)降低其分子鏈排列有序性和損耗其電學(xué)性能。相比于主鏈工程，利用側(cè)鏈工程提高半導(dǎo)體聚合物溶解性更加有效，但引入大體積的烷基側(cè)鏈會(huì)對(duì)聚合物的薄膜形貌、分子堆積和載流子傳輸性能造成不利的影響。因此，急需開發(fā)有效的分子設(shè)計(jì)策略以同時(shí)提高半導(dǎo)體聚合物的溶解性和電學(xué)性能。

  針對(duì)提高半導(dǎo)體聚合物的溶解性，合肥工業(yè)大學(xué)王曉鴻副研究員、張國兵副研究員、邱龍臻研究員團(tuán)隊(duì)對(duì)氮雜異靛藍(lán)基聚合物的側(cè)鏈結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，使用線性雜化硅氧烷基鏈取代支化烷基鏈，顯著提高氮雜異靛藍(lán)基聚合物的溶解性。因此，相比于PAIIDBT-C，PAIIDBT-Si不僅可以溶解于氯化和芳香類溶劑，還可以溶解于低毒的烷烴類溶劑。同時(shí)，該團(tuán)隊(duì)對(duì)氮雜異靛藍(lán)基聚合物的主鏈結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)，使用氟化聯(lián)噻吩取代聯(lián)噻吩，顯著提高氮雜異靛藍(lán)基聚合物的結(jié)晶度和電學(xué)性能。因此，相比于PAIIDBT-C和PAIIDBT-Si，PAIIDBFT-C和PAIIDBFT-Si表現(xiàn)出顯著增強(qiáng)的空穴和電子遷移率。這項(xiàng)研究工作為非氯溶劑加工的高性能半導(dǎo)體聚合物材料的設(shè)計(jì)合成提供了一種新的策略。

圖一. PAIIDBT-C, PAIIDBT-Si, PAIIDBFT-C, PAIIDBFT-Si的化學(xué)結(jié)構(gòu)式

  采用紫外吸收光譜對(duì)聚合物的溶解度進(jìn)行表征，結(jié)果表明，PAIIDBT-C, PAIIDBT-Si, PAIIDBFT-C, PAIIDBFT-Si 在甲苯溶液中分別表現(xiàn)出4.9，56.2，24.1和80.7 mg mL^-1的溶解度。采用AFM和GIXD對(duì)聚合物薄膜進(jìn)行表征，結(jié)果表明，在聚合物骨架引入氟原子能顯著提高聚合物薄膜的結(jié)晶度。同時(shí)發(fā)現(xiàn)，PAIIDBT-C和 PAIIDBFT-C采取face-on和edge-on并存的的分子堆積，而PAIIDBT-Si和PAIIDBFT-Si采取edge-on的的分子堆積，表明側(cè)鏈種類對(duì)聚合物薄膜分子堆積方式的重要影響。在此，使用烷烴加工的PAIIDBFT-Si薄膜的空穴遷移率達(dá)到2.34 cm² V^-1 s^-1，這代表了所報(bào)道的烷烴加工的聚合物基晶體管中的遷移率最高值。

圖二. (a) 聚合物退火薄膜的AFM圖；(b) 聚合物退火薄膜的2D-GIXD圖；(c)聚合物薄膜的分子堆積方式

  該團(tuán)隊(duì)進(jìn)一步將此線性雜化硅氧烷基鏈引入到異靛藍(lán)骨架并合成了三個(gè)異靛藍(lán)基聚合物，研究了聚合物骨架與硅鏈之間的烷基間隔長度對(duì)聚合物的薄膜形貌、分子堆積和載流子傳輸性能的影響。所制備的聚合物(PIID-C_m-Si₇, m = 5–7)均表現(xiàn)出極高的溶解性。AFM和GIXD結(jié)果表明，聚合物薄膜的結(jié)晶度和分子堆積有序性隨著烷基間隔長度的增加而增強(qiáng)。因此，隨著烷基間隔長度的增加，所對(duì)應(yīng)的聚合物薄膜的載流子傳輸性能逐漸提高，其中，基于PIID-C₇-Si₇的薄膜晶體管遷移率最高達(dá)到1.58 cm² V^-1 s^-1。

圖三. (a) PIID-C_m-Si₇ (m = 5–7)的化學(xué)結(jié)構(gòu)式；(b) 不同溶劑加工的PIID-C_m-Si₇ (m = 5–7) 基晶體管的載流子遷移率；(c) 基于PIID-C₇-Si₇的柔性晶體管陣列

  以上相關(guān)成果分別發(fā)表在ACS Applied Material Interface (10.1021/acsami.0c11436)和 Chemical Communication (10.1039/d0cc01497d)上。論文的第一作者為合肥工業(yè)大學(xué)光電技術(shù)研究院博士生丁亞飛，通訊作者為王曉鴻副研究員、張國兵副研究員、邱龍臻研究員。

  原文鏈接：

  https://doi.org/10.1021/acsami.0c11436

  https://doi.org/10.1039/d0cc01497d