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南科大郭旭崗教授團隊 AM:高遷移率氰基化n-型高分子構(gòu)建高性能有機電化學晶體管
2022-05-19  來源:高分子科技

  有機混合離子-電子導體(organic mixed ionic-electronic conductor,OMIEC)具有傳輸離子電荷和電子電荷的特性,其應(yīng)用在電化學晶體管(organic electrochemical transistor,OECT)中能夠高效地將弱離子/電輸入信號轉(zhuǎn)換為強電輸出信號,這使其可應(yīng)用在有機生物電子器件中,如生物化學傳感、電生理信號記錄、細胞阻抗監(jiān)測和低壓放大器等。在OECT中,離子傳輸能力(體積電容,C*)和電荷傳輸能力(電荷遷移率,μ)同等重要,它們的乘積μC*是評價OECT器件性能的重要品質(zhì)因子。迄今為止,高性能的p-型OECT溝道材料開發(fā)方面已取得了巨大進展,多個材料體系中已經(jīng)取得了大于100 F cm-1 V-1 s-1的μC*值。相比之下,n-型OECT溝道材料的發(fā)展明顯滯后,μC*值相對較低,目前主要集中在0.1~1 F cm-1 V-1 s-1。然而,n-型OECT的發(fā)展對生物探針和低功率邏輯電路等有機生物電子器件的發(fā)展十分重要。因此,開發(fā)高性能的新型n-型OMIEC對推動OECT的發(fā)展至關(guān)重要。目前文獻中報道的高性能的n-型溝道材料的C*值已經(jīng)與p-型溝道材料相當。然而n-型材料的電子遷移率μe值(10-5~10-2 cm2 V-1 s-1)遠遠低于p-型材料的空穴遷移率μh(>0.1~1 cm2 V-1 s-1)。所以,開發(fā)具有高電子傳輸能力且能同時保持高離子傳輸能力的新型n-型OMIEC材料是推動n-型OECT發(fā)展的關(guān)鍵。


  并雙噻吩酰亞胺二聚體(f-BTI2)是雙噻吩酰亞胺(BTI)的并環(huán)衍生物,具有共面性高、溶解性好和缺電性程度高等顯著優(yōu)勢,其構(gòu)建的n-型高分子半導體在有機場效應(yīng)晶體管、全聚合物太陽能電池和有機熱電中均取得了優(yōu)異的器件性能(Angew. Chem. Int. Ed. 2017, 56, 9924–9929;Angew. Chem., Int. Ed. 2017, 56, 15304-15308;Angew. Chem. Int. Ed. 2020, 59, 14449-14457;Nature, 2021, 599, 67-73)。基于f-BTI2優(yōu)良的性質(zhì),南方科技大學材料系郭旭崗教授團隊制備了兩個給體-受體(D-A)型n-型有機混合離子-電子導體f-BTI2TEG-T和f-BTI2TEG-FT(Angew. Chem., Int. Ed. 2021, 60, 24198-24205)。當應(yīng)用在OECT中,其最大μC*值為15.2 F cm-1 V-1 s-1。通過計算得出最優(yōu)OECT器件的μe為0.034 cm2 V-1 s-1。在此基礎(chǔ)上,該團隊通過引入共軛長度更長的TVTTVTCN給體單元制備了兩個n-型高分子半導體f-BTI2g-TVT和f-BTI2g-TVTCN圖1a)。通過紫外-可見外吸收光譜、循環(huán)伏安法、紫外-可見-近紅外吸收光譜和循環(huán)伏安法聯(lián)用(1b-d)和掠入射廣角X射線散射等表征方法,系統(tǒng)研究了氰基化策略對高分子的光物理吸收特性、前沿分子軌道能級、電化學摻雜和薄膜形貌等的影響。研究發(fā)現(xiàn),氰基的引入減弱了D-A相互作用,加強了極化子排布,降低了前線軌道能級,增加了電化學摻雜能力和提升了有機薄膜晶體管的電子遷移率(1e)。


  當應(yīng)用于OECT器件時,兩個高分子均表現(xiàn)出優(yōu)異的n-型特征(2a-d)。在柵極電壓(Vg)為1 V時,f-BTI2g-TVTCN器件獲得的最大歸一化跨導(gm, norm)和μC*值分別為12.8 S cm–1和41.3 F cm-1 V-1 s-1,均遠遠高于基于f-BTI2g-TVT的器件。基于f-BTI2g-TVTCN器件的最大μC*值為41.3 F cm-1 V-1 s-1為目前文獻報道中n-型OECT溝道材料的最高值(圖2e)。進一步分析發(fā)現(xiàn),f-BTI2g-TVTCN在OECT器件中獲得了0.24 cm-1 V-1 s-1μe,這是其器件獲得高性能的主要原因。這些研究結(jié)果表明氰基化策略在構(gòu)建高性能n-型OMIEC方面的巨大優(yōu)勢,為進一步推動n-型OECT溝道材料的發(fā)展提供了重要的設(shè)計思路和材料基礎(chǔ)。


圖1. (a)高分子f-BTI2g-TVT和氰基化高分子f-BTI2g-TVTCN結(jié)構(gòu)示意圖。(b)高分子的吸收光譜。(c)高分子的循環(huán)伏安曲線。在持續(xù)施加偏壓下,(d)f-BTI2g-TVT和(e)f-BTI2g-TVTCN的吸收光譜變化示意圖。(f)f-BTI2g-TVTCN的有機薄膜晶體管轉(zhuǎn)移曲線。


圖2. (a)f-BTI2g-TVTCN器件的轉(zhuǎn)移曲線圖。(b)f-BTI2g-TVTCN器件的輸出曲線圖。(c)f-BTI2g-TVT器件的轉(zhuǎn)移曲線圖。(d)f-BTI2g-TVT器件的輸出曲線圖。(e)文獻報道和本論文中的n-型溝道材料μC*值對μ值作圖。


  以上相關(guān)成果以Cyano-Functionalized n-Type Polymer with High Electron Mobility for High-Performance Organic Electrochemical Transistors為題發(fā)表在《Advanced Materials》,該論文的第一作者為南方科技大學馮奎副研究員和單文韜,通訊作者為南方科技大學郭旭崗教授和郭晗副研究員。

  原文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adma.202201340

  郭旭崗教授團隊網(wǎng)址:http://faculty.sustech.edu.cn/guoxg/

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