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南科大郭旭崗、馮奎團隊 Angew:高電子遷移率的雙硒吩酰亞胺基聚合物受體助力高性能全聚合物太陽能電池
2023-07-21  來源:高分子科技

  相比于其他類型的有機太陽能電池,全聚合物太陽能電池(all-PSCs)因其具有良好的光熱穩定性和優異的機械柔韌性而受到廣泛關注。隨著“聚合化小分子受體(PSMAs”這一策略的提出,經過近些年的快速發展all-PSCs的能量轉換效率(PCE)已超過16%。然而,一方面,報道的大多數給體-受體(D-A)型PSMAs表現出有限的電子遷移率(μes ≈10-4~10-5 cm2 V-1 s-1),這限制了電子的傳輸/收集;另一方面,低數均分子量(Mn ≈7~15 kDa)的PSMAs也會影響到器件長期運行穩定性以及未來柔性可拉伸器件的應用。因此,開發兼具高電子遷移率和高分子量的聚合物受體至關重要。



圖1.(a)all-PSCs中的聚合物受體化學結構和器件結構示意圖;(b)錫化單體BSeI-Tin和(c)聚合物受體的合成路線圖。


  在近年來研究中,南方科技大學郭旭崗教授團隊發現雙噻吩酰亞胺及其衍生物是一類發展高性能D-A型n-型聚合物的優秀基元(Acc. Chem. Res. 2021, 54, 3804-3817)。除了傳統的D-A高分子骨架構建策略之外,最近興起的受體-受體(A-A)型策略已經被證實為發展共面性高、能級低和遷移率高的n-型聚合物有效方法之一。在此基礎上,該團隊發展了錫化雙噻吩酰亞胺(BTI-Tin),基于此制備了一系列A-A型n-型聚合物(Angew. Chem. Int. Ed. 2020, 59, 14449-14457; Adv. Mater. 2020, 32, 2004183; J. Am. Chem. Soc. 2021, 143, 1539-1552; Adv. Mater. 2021, 33, 2102635; Angew. Chem. Int. Ed. 2022, 61, e202214192; Adv. Mater. 2023, 35, 2210847),并大幅度提升了有機電子器件的性能。


  基于此,近日南方科技大學郭旭崗教授、馮奎副研究員團隊進一步研發了錫化雙硒吩酰亞胺(BSeI-Tin)及其A-A型聚合物PY5-BSeI。為了突出A-A策略的優勢,一個D-A型聚合物PY5-BSe也被成功合成出來。紫外-可見吸收光譜測試表明(圖2a-b),PY5-BSeI表現出更寬的吸收光譜以及更窄的帶隙,這將有利于其在近紅外區對光的捕獲,從而提高電池器件短路電流密度。如圖2c所示,循環伏安法測得PY5-BSeI表現出比PY5-BSe更低的分子前線軌道能級,特別是最低未占據分子軌道已降至-4.0 eV,這將有利于電子的傳輸。進一步通過高斯理論計算研發發現(圖2d-e),PY5-BSeI具有更加規整的平面骨架結構,有望獲得緊密的分子堆積以及更快的電荷傳輸。


圖2.(a)溶液態和(b)薄膜態下的聚合物吸收光譜圖;(c)聚合物能級示意圖;(d-e)聚合物受體的理論計算結果。


  為了更好的比較PY5-BSe和PY5-BSeI的電子傳輸性質,該團隊通過有機場效應晶體管(OTFT,圖3a-b)和空間電荷限制電流法(SCLC,圖3c)分別測試了兩個聚合物受體的電子遷移率。經過器件優化后,PY5-BSeI測得的最大電子遷移率分別為μe,OTFT =0.29 cm2 V-1 s-1μe,SCLC =1.03×10-3 cm2 V-1 s-1,遠高于PY5-BSe(μe,OTFT =0.066 cm2 V-1 s-1μe,SCLC =3.81×10-4 cm2 V-1 s-1)。隨后通過對掠入式廣角X射線衍射(GIWAXS)進行分析(圖3d-f)發現,PY5-BSeI薄膜表現出更高的結晶度,這與其更高的電子遷移率結果是一致的。


圖3.(a-b)聚合物受體在有機場效應晶體管中的轉移曲線圖;(c)聚合物受體通過SCLC測試的電子遷移率曲線圖;(d-f)聚合物受體薄膜的二維和一維GIWAXS圖。


  當兩個聚合物受體與聚合物給體PM6共混后,最佳二元器件的電流密度-電壓(J-V)曲線如圖4a所示。基于PY5-BSeI的all-PSCs的開路電壓(VOC)為0.939 V,短路電流密度(JSC)為24.93 mA cm-2,填充因子(FF)為75.83%,從而取得高達17.77%的能量轉換效率值,這遠高于PY5-BSe的器件性能(VOC =0.933 V,JSC =17.66 mA cm-2,FF =65.21%,PCE =10.70%)。這也是首例all-PSCs聚合物受體在分子量超過30 kDa還能實現>15%的效率(圖4b)。通過外量子效率光譜測試(圖4c),PM6:PY5-BSeI表現出更高的光響應值。并且PM6:PY5-BSeI顯示出很好的器件重復性。最后,通過共混薄膜遷移率、電荷轉移動力學、共混性以及形貌表征等方法,該團隊來驗證了基于A-A型PY5-BSeI的all-PSCs取得高性能的主要原因。綜上所述,BSeI-Tin是一個構建聚合物受體出色的錫化單體。在未來,期待其與其他更加優異的缺電子單體共聚得到性能更優的A-A型聚合物受體。


圖4.(a)優化all-PSC器件的J-V曲線;(b)PCE與Mn的關系圖;(c)優化all-PSC器件的EQE曲線;(d)15個器件效率統計分布圖;(e)共混膜的SCLC電子遷移率;(f)共混膜的SCLC空穴遷移率。


  該工作日前以題為“Biselenophene Imide: Enabling Polymer Acceptor with High Electron Mobility for High-Performance All-Polymer Solar Cells”在Angewandte Chemie International Edition上發表。文章第一作者為博士生馬蘇翔(留組從事博士后研究),第二作者為碩士生李棒棒。通訊作者為南方科技大學馮奎副研究員和郭旭崗教授。該項工作也得到南方科技大學陳熹翰副教授以及韓國高麗大學Han Young Woo教授分別在超快光譜和形貌表征等方面測試的大力支持。


  原文鏈接:https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202308306

  郭旭崗教授課題組網址:https://faculty.sustech.edu.cn/guoxg/

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(責任編輯:xu)
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