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  場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）是CPU、傳感器和顯示器的核心部件，其中，介電層對(duì)調(diào)節(jié)晶體管的整體性能方面具有至關(guān)重要的作用。目前，電介質(zhì)材料仍然存在多種缺點(diǎn)，比如具有強(qiáng)偶極子耦合的鐵電材料或極性聚合物電介質(zhì)中的高極性基團(tuán)在高電場(chǎng)下表現(xiàn)出明顯的極化滯后，導(dǎo)致器件的高損耗。具有高介電常數(shù)的納米顆粒添加劑雖可有效提高聚合物薄膜的電容，但同時(shí)也會(huì)增加漏電損耗并降低介電層的擊穿強(qiáng)度。因此，聚合物介電常數(shù)和損耗之間的內(nèi)在平衡已經(jīng)嚴(yán)重阻礙了高性能聚合物介電材料的發(fā)展。

聚合物電介質(zhì)設(shè)計(jì)策略的比較

  原文鏈接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202306260