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    東麗道康寧面向SiC等新一代功率半導體，開發出了兼顧耐熱性及加工性的新型硅類封裝材料。特點是可在250℃條件下連續使用，而且加工性較高。比如，SiC功率半導體元件（功率元件）可在硅功率元件所限定的200℃以上的高溫下工作。在200℃以上的高溫下工作時，除功率元件外，還需提高其周邊材料的耐熱性。此次開發的新材料設想用于這些高溫工作用途。
　　
    據介紹，新材料在加工性指標——粘度為50Pa·s時，耐熱性指標——硬化后的熱膨脹系數可減至1.0×10-5/K。粘度越低，加工性越出色，熱膨脹系數越小，耐熱性越高。原來的硅類封裝材料很難實現兼顧低粘度及小熱膨脹系數。該公司表示，此次通過控制聚硅氧烷(Polysiloxane)及高性能無機微粒子，使其合成，兼顧了加工性及耐熱性。
　　
    此外，該公司與東京大學研究生院新領域創成科學研究科的大島實驗室共同開發出了功率半導體散熱材料用高性能微粒子的新合成方法。該公司表示，可通過采用“超臨界流體技術”，利用廉價采購的原料合成高性能微粒子。這樣，便可輕松與聚硅氧烷調配。
　　
    關于此次開發的封裝材料及面向散熱材料的合成法的詳細內容，該公司預定在2010年2月17日起于東京有明國際會展中心舉辦的“nano tech2010國際納米科技綜合展及國際會議”的NEDO展區內公開。另外，此次研究成果是通過NEDO委托的“超復合材料技術開發”項目取得的。